芯片corner测试（芯片shmoo测试）

妙招常识 2026年01月17日 11:10:11 15 wzgly

本文目录一览：

〖壹〗、什么是芯片制造的Corner以及SS/TT/FF特点
〖贰〗、流片后的测试有哪些项目
〖叁〗、corner的分类

什么是芯片制造的Corner以及SS/TT/FF特点

芯片制造的Corner是指工艺角，用于描述芯片制造工艺带来的个体差异，SS、TT、FF是其中的三种典型工艺角。Corner（工艺角）的定义芯片制造是一个物理过程，由于工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等）的存在，不同批次、同一批次不同晶圆、同一晶圆不同晶片之间的芯片特性都会有所不同。

芯片制造的Corner是指制造工艺所带来的个体差异，具体表现为不同的工艺角，如SS、TT、FF等。以下是SS、TT、FF的特点：SS（SlowSlow）：特点：代表最保守的性能。解释：在所有的工艺角中，SS角对应的芯片性能最慢，载流子平均漂移速度最低。

工艺角（ProcessCorner）与双极晶体管不同，在不同的晶片之间以及在不同的批次之间，MOSFETs 参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内。如果超过这个范围，就将这颗IC报废了，通过这种方式来保证IC的良率。

芯片制造是一个复杂的物理过程，由于工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等）的存在，导致不同批次之间、同一批次不同晶圆之间、同一晶圆不同芯片之间的性能都会有所差异。

分类：TT：代表典型的NMOS和PMOS浓度情况。FF：代表NMOS和PMOS浓度均较高的情况，器件速度较快。SS：代表NMOS和PMOS浓度均较低的情况，器件速度较慢。FS：代表NMOS浓度较高而PMOS浓度较低的情况。SF：代表NMOS浓度较低而PMOS浓度较高的情况。

流片后的测试有哪些项目

ATE测试、功能测试、可靠性测试。ATE测试：按测试向量类型分为DFT测试和功能向量测试两种。按测试阶段又分为CP测试和FT测试两种。其中DFT测试包含ATPG，BIST的测试。主要覆盖了被插过DFT链的数字部分和支持BIST测试的IP。CP测试和FT测试指的是封装前的waferlevel的测试和封装后的packagelevel的测试。

测试项目：WAT可以测试电流、电压、电阻、电容等电性参数。FAB内主要的测试项目包括阈值电压、漏电流、击穿电压、接触电阻、方块电阻、电容等。WAT测试结果的分析正态分布项目：需要review Cpk，Cpk需要满足大于33。分布的差异来自于工艺造成的偏差。

Inline WAT：在inter-metal阶段对器件进行测试，以监控早期工艺波动。Final WAT：在wafer整个制程完成后对器件进行测试，以全面评估产品质量和工艺稳定性。测试机台 WAT自动测试需要使用特定的测试机台，主要是Keithley和Agilent的测试机。

芯片corner测试（芯片shmoo测试）

corner的分类

〖壹〗、Corner在半导体设计中，主要用于对晶体管和互联线的偏差进行建模，以确保芯片在各种工艺、电压和温度条件下都能正常工作。Corner主要分为两大类：PVT Corner和RC Corner。PVT Corner PVT Corner用于描述晶体管的全局工艺偏差、温度偏差以及电压偏差。

〖贰〗、Corner是根据芯片的Process（工艺制造）、Voltage（电压）和Temperature（温度）三个因素进行分类的，其中Process又分为不同的Corner，即工艺角。SS、TT、FF的特点SS（Slow N Slow P）：表示NMOS和PMOS都较慢的工艺角。在这种工艺角下，芯片的载流子平均漂移速度较慢，导致芯片的整体性能较低。

〖叁〗、Corner可以分为对晶体管的偏差建模的PVT corner，以及对互联线偏差建模的RC Corner。PVT Corner用于描述晶体管的全局工艺偏差。 RC Corner 用于描述互联线工艺偏差。PVT corner PVT corner需要覆盖全局工艺偏差，温度偏差以及电压偏差。

〖肆〗、RC corner的分类：Cbest（Cmin）：电容最小，电阻最大，对于short nets有最小的delay，主要用于hold的分析。Cworst（Cmax）：电容最大，电阻最小，对于short nets有最大的delay，主要用于setup的分析。RCbest：RC的乘积最小，对于具有长互联的路径，具有最小的延迟，用于hold分析。

〖伍〗、为了模拟和验证这些差异，引入了PVT概念，并根据NMOS和PMOS的浓度情况，将Corner分为TT、FF、SS、FS、SF等五种类型。分类：TT：代表典型的NMOS和PMOS浓度情况。FF：代表NMOS和PMOS浓度均较高的情况，器件速度较快。SS：代表NMOS和PMOS浓度均较低的情况，器件速度较慢。

〖陆〗、FS（Fast N Slow P）：代表N型掺杂浓度较快，P型掺杂浓度较慢的芯片。SF（Slow N Fast P）：代表N型掺杂浓度较慢，P型掺杂浓度较快的芯片。这些corner的分类是基于NMOS和PMOS在工艺上的独立性，但它们在电路中同时工作，因此会出现FF、SS、FS、SF四种组合情况。

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